化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化學氣(qi)相沉積(CVD)是用化學方法使反(fan)(fan)應氣(qi)體在(zai)(zai)零件(jian)(jian)基材表(biao)面(mian)發生化學反(fan)(fan)應而形成(cheng)覆蓋層的方法。通常CVD是在(zai)(zai)高溫(wen)(800~1000℃)和常壓或(huo)低壓下(xia)進行的,沉積裝(zhuang)置如圖3-13所示。 a.反(fan)(fan)應氣(qi)體向工件(jian)(jian)表(biao)面(mian)擴散并(bing)被(bei)吸(xi)附。 b.吸(xi)收(shou)工件(jian)(jian)表(biao)面(mian)的各種(zhong)...